Intel 再投 200 亿美元建 2 座芯片工厂 “ 1.8nm ”工艺王者归来 ...

当地时间 9 月 9 日，Intel CEO 基辛格宣布在美国俄亥俄州投资 200 亿美元新建大型晶圆厂，这是 Intel IDM 2.0 战略的一部分，整个投资计划高达 1000 亿美元，新工厂预计 2025 年量产，届时 "1.8nm" 工艺将让 Intel 重新回到半导体领导者地位。
基辛格去年 2 月份担任 Intel CEO 以来，开始大力推动在美国及全球建厂，其中美国本土的投资至少超过 400 亿美元，去年已经在亚利桑那州投资 200 亿美元建晶圆厂，这次是在俄亥俄州同样投资 200 亿美元，还在新墨西哥州建设新的封测工厂。



Intel 这座工厂也是美国通过 528 亿美元的芯片补贴法案之后本土新建的大型半导体芯片厂，为此美国总统也出席了开工仪式，还有俄亥俄州州长等地方部门高官。



Intel 的芯片制造基地将有 2 座晶圆厂组成，最多可容纳 8 个厂房及配套的生态支持系统，占地面积将近 1000 英亩，也就是 4 平方公里之大，将创造 3000 个高薪工作岗位，7000 多个建筑工岗位，以及数万个供应链合作岗位。
这两座晶圆厂预计会在 2025 年量产，Intel 没有具体提到工厂的工艺水平，但是 Intel 之前表示要在 4 年内掌握 5 代 CPU 工艺，2024 年就要量产 20A 及 18A 两代工艺，因此这里的工厂届时应该也会量产 18A 工艺。
20A、18A 是全球首个达到埃米级的芯片工艺，相当于友商的 2nm、1.8nm 工艺，还会首发 Intel 两大黑科技技术 Ribbon FET 及 PowerVia。
根据 Intel 所说，RibbonFET 是 Intel 对 Gate All Around 晶体管的实现，它将成为公司自 2011 年率先推出 FinFET 以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。
PowerVia 是 Intel 独有的、业界首个背面电能传输网络，通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。